Gatetreiber Platinen
Gatetreiber Platinen für IGBTs, MOSFETs and SiC FETs
Gatetreiber-Module sind komplexe Platinen, die für die Steuerung des Leistungsschalters veranwtortlich sind. Ihre Grundfunktion besteht darin, eine Isolation zwischen dem Hochspannungskreis und dem Niederspannungskreis bereitzustellen. Darüber hinaus geben sie in High-Side-Anwendungen auch Pegelverschiebungstreiber aus, die an Source / Emitter-Masse ausgegeben werden.
Darüber hinaus erfordert jeder Leistungsschalter unterschiedliche Ausgangsspannungen und Strömen und ist anwendungsspezifischen Risiken wie hohen du/dt- und Kurzschlüsse ausgesetzt. Es gibt auch eine geringe Anforderung für Verzögerungszeit beim Hochfrequenzschalten, die abhängig von der Topologie der Schaltung und dem verwendeten Leistungsschalter variiert.Daher bieten alle verfügbaren Gate-Treiberplatinen angemessene Merkmale und Funktionen, die die meisten Anwendungen und Geräte wie Si-IGBTs, -MOSFETs und Siliziumkarbid (SiC)-FETs abdecken.
Diese Gatetreiber Platinen sind so ausgestattet, dass sich der Schaltkreis in allen Leistungsschaltanwendungen einfach und flexibel anpassen lässt.
Auswahl einer passenden Gatetreiber Platine für Ihre Anwendung
| Produktreihe | Geeignet für | Beschreibung | Schalfrequenz | Eingebauter Schutz |
|---|---|---|---|---|
| GDC | SiC FETs, MOSFETs | 110 ns P.D., 100 kV/us CMTI | 50 kHz | Für den Betrieb mit SiC/MOSFET Optimiert |
| GDA | IGBTs | 150 ns P.D., 35 kV/us CMTI | 50 kHz | Für den Betrieb mit IGBT Optimiert |
| GDX | IGBTs, SiC FETs, MOSFETs | 30 ns P.D., 100 kV/us CMTI | 3 MHz | Keins |
GDC Silizium-Karbid Series
SiC Gatetreiber Platinen mit erweitertem Schutz
Die GDC-Serie umfasst einen vollständig isolierte Hochleistungs-SiC / IGBT / MOSFET Gatetreiber Platinen für 2, 4 und 6 Leistungsschalter. Sie eignen sich für den Prototyp von Mehrphasen-Wechselrichtern in Ihrem Forschungs- bzw. Bildungsprojekte. Diese Gatetreiber Platinen verwenden den intelligenten und leistungsstarken Gatetreiber ISO5852 von Texas Instrument und verfügen über eine Totzeitgenerierungslogik, eine Fehlerverriegelungslogik, LEDs für Eingangs- und Ausgangsanzeige, Testpunkte und einen eingebauten 5-V-Regler, mit dem externe Steuerschaltungen versorgt werden können.
Das bemerkenswerteste Merkmal dieser Platinen ist, dass sie den Kurzschluss unter Verwendung einer Entsättigungserkennung identifizieren. Folglich wird der Schalter sicher abgeschaltet und gibt der Steuerung ein isoliertes Fehlerrückmeldungssignal aus. Diese Serie hat auch eine sehr hohe Gleichtaktimmunität von 100 kV/µs. Mit anderen Worten, es nutzt die hohe Schaltgeschwindigkeit von SiC-FETs in vollen Zügen. Dieses Produkt kann mit verschiedenen Ausgangsspannungen bestellt werden, die für verschiedene verfügbare SiC-FETs im Markt geeignet sind, dh + 20/-5, +18/0, +15/0, +15/-5 und +15/-15.
Eigenschaften
- Passend für 1200 V SiC, MOSFETs, und Si-IGBTs mit einer Schaltfrquenz von bis zu 50 kHz
- Kurzschlussschutz mit sanfter Abschaltung
- Aktiver Miller-Clamp und Unterspannungs-Sperre (Under Voltage Lock Out, UVLO) Schutz
- Fehlerrückmeldung und Fehlerverriegelungsschutz
- Einstellbarer PWM / Unabhängige-Eingänge mit einstellbarer Totzeit
- Visuelles und elektrisches Feedback mit LEDs und Testpunkten
Available Models
GDA - Die modulare Baureihe "Advanced"
IGBT Gatetreiber Platinen Boards mit modularem Schutz
Die GDA-Serie besitzt einen vollständig isolierten Hochleistungs-IGBT / MOSFET-Gatetreiber mit erweiterten Schutzfunktionen, die in 2-, 4- und 6-Kanal-Konfigurationen verfügbar sind.
Diese Platinen stellen genügend Modularität zur Verfügung und machen Sie sie für den Prototyp von Mehrphasen-Wechselrichtern während Ihrer Forschungs- bzw. Bildungsprojekte geeignet.
Diese Gate-Treiber-Platinen verwenden einen Smart-Gate-Treiber-IC, der zunächst einen Kurzschlusszustand mithilfe der Entsättigungserkennung (desaturation detection) erkennt und folglich den Schalter ausschaltet und ein Fehlerrückkopplungssignal ausgibt.
Darüber hinaus können Sie eine Fehlerverriegelungsschaltung aktivieren, die das Modul automatisch herunterfährt und den Betrieb erst wieder aufnimmt, wenn die Stromversorgung zurückgesetzt wird.
Weitere Merkmale sind die Logik zur Erzeugung der Totzeit, LEDs zur Eingabe und Ausgabe, Testpunkte und ein eingebauter 5-V-Regler, mit dem externe Steuerschaltungen eingeschaltet werden können.
Eigenschaften
- Geeignet für 1200 V IGBTs / MOSFETs mit Schaltfrequenzen bis zu 50 kHz
- Kurzschlussschutz mit sanfter Abschaltung (soft shutdown)
- Aktiver Miller- und UVLO-Schutz am Ausgang
- Fehlerrückmeldung und Fehlerverriegelungsschutz
- Konfigurierbare PWM-Signale und unabhängig Eingänge mit einstellbarer Totzeit
- Visuelles und elektrisches Feedback mit LEDs und Testpunkten
Vorhandenen Gate-Treiber Platine(n)
GDX Xtreme Series
Our Most Versatile High Speed Gate Driver Modules for SiC, MOSFET and IGBTs
Bei der GDX-Reihe handelt es sich um vollständig isolierte Hochleistungs-SiC / IGBT / MOSFET-Gate-Treibermodule für 2, 4 und 6 Leistungsschaltern.
Sie eignen sich daher als Prototyp für mehrphasige Wechselrichter während Ihrer Forschungs- und Bildungsprojekte.
Die Frequenzumrichter verwenden den Hochleistungs-Gate-Treiber-IC UCC21520 von Texas Instrument und verfügen über eine Logik zur Erzeugung der Totzeit, LEDs für Eingangs- und Ausgangsanzeige, Testpunkte und einen integrierten 5-V-Regler, mit dem externe Steuerschaltungen eingeschaltet werden können.
Das bemerkenswerteste Merkmal dieses Moduls ist seine extrem niedrige Laufzeitverzögerung von weniger als 30 ns. Dadurch können sie Ihnen bei Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz wie ZVS- und ZCS-Topologien helfen und sind ideal für kaskadierte und parallele Topologien geeignet, um Unterschiede zwischen Schaltern zu minimieren.
Insgesamt erzielt dieses Modul bzw. diese Gate-Treiber Platine den schnellsten Gate-Ansteuerungsbetrieb und die geringste Verzerrung des Ausgangssignals, was Ihnen bei Hochfrequenz-Schaltanwendungen hilft.
Aufgrund der sehr hohen Schaltgeschwindigkeiten von SiC-FETs ist eine hohe Störfestigkeit für den ordnungsgemäßen Betrieb des Gate-Treibermoduls erforderlich. Daher verfügt die GDX-Serie über eine sehr hohe Gleichtakt-Störfestigkeit von 100 kV / us, damit Sie Ihren SiC-Schaltkreis optimal nutzen können.
Dieses Produkt kann mit unterschiedlichen Ausgangsspannungen bestellt werden, die für verschiedene auf dem Markt erhältliche SiC-FETs geeignet sind. Verfügbare Optionen sind + 20 / -5, +18/0, +15/0, + 15 / -5 und + 15 / -15.
Eigenschaften
- Vielseitigster Gate-Treiber, der für 1200-V-SiC-FETs, MOSFETs und IGBTs geeignet sind
- Konfigurierbare PWM-Signale (High und Low side) und unabhängig Eingänge mit einstellbarer Totzeit
- Ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten von bis zu 3 MHz mit nur 30 ns Laufzeitverzögerung (Propagation delay)
- UVLO-Schutz am Ausgang
- Visuelles und elektrisches Feedback mit LEDs und Testpunkten
Vorhandenen Gate-Treiber Platine(n)
FAQs
Der optimale Wert der Gate-Treiber-Ausgangsspannung hängt vom verwendeten Schalter ab. Normalerweise werden SiC-FETs in mehreren empfohlenen Spannungen wie + 20 / -5 V, + 18/0 V und + 15 / -5 V geliefert. Weitere Informationen finden Sie im Schalter-Datenblatt in der Tabelle Absolute Maximum Rating.
SiC-Gate-Treiber weisen im Vergleich zu IGBT-Gate-Treibern eine höhere Gleichtaktunterdrückung und eine geringe Ausbreitungsverzögerung auf, wodurch sie für Anwendungen mit höherer Geschwindigkeit geeignet sind und gleichzeitig alle erweiterten Schutzfunktionen bieten.
Jeder Ausgangskanal der Gate-Treiberplatine verfügt über einen Stecker, der mit dem ausgewählten Gate-Widerstand direkt an den Gate-Source / Emitter-Anschluss angeschlossen werden kann, um die für den Schaltvorgang erforderliche Gate-Spannung bereitzustellen.